TSMC, Samsung et Intel ont convenu d'accélérer la transition vers de nouvelles technologies lithographiques
- TSMC, Samsung et Intel passent ensemble à l'équipement High-NA EUV
- La taille des masques photographiques sera augmentée de 150 à 300 millimètres
- La capacité des scanners augmentera de 40 pour cent
- Samsung mettra en œuvre la technologie en 2028, TSMC en 2030
L'industrie des semi-conducteurs se prépare à une modernisation à grande échelle des processus de production. La société taïwanaise TSMC, la sud-coréenne Samsung et l'américaine Intel ont convenu d'adopter des technologies lithographiques avancées qui devraient considérablement accélérer le développement et la production de puces de nouvelle génération.
L'élément clé de cette collaboration est le passage à des équipements de classe High-NA EUV (ultraviolet extrême à haute ouverture numérique) et l'augmentation de la taille des masques photographiques - des modèles spéciaux utilisés pour concevoir des circuits intégrés sur des plaquettes de silicium. Traditionnellement, les masques photographiques mesuraient 150 millimètres, mais l'industrie se prépare à doubler ce paramètre à 300 millimètres.
Cette transition a longtemps été considérée comme économiquement non viable en raison du coût élevé de l'équipement et de la complexité de l'implémentation. Cependant, des actions coordonnées de tous les principaux fabricants permettront de répartir le fardeau des investissements et rendront la modernisation plus accessible pour l'industrie dans son ensemble. Les représentants de la société ASML, fournisseur d'équipements de lithographie, notent que l'augmentation de la taille des photomasques permettra d'augmenter la capacité des scanners de 40 pour cent et de simplifier le processus de conception des puces.
Calendrier de mise en œuvre des innovations
Intel est le leader dans l'application de la technologie High-NA EUV. L'entreprise est déjà passée des prototypes à une utilisation sélective de ce type d'équipement dans la production en série des processeurs Panther Lake utilisant la technologie Intel 18A. Le fabricant américain promeut également activement la transition vers de grands photomasques depuis les trois dernières années.
Samsung prévoit de commencer à utiliser des équipements EUV High-NA pour la production de mémoire en 2028. L'entreprise interagira avec des partenaires de l'industrie lors de l'implémentation de nouveaux photomasques, mais les délais spécifiques de cette migration ne sont pas précisés.
TSMC, le plus grand fabricant de puces sous contrat au monde, avance de manière plus conservatrice. L'entreprise commencera à utiliser des équipements EUV High-NA en 2030, mais initialement, elle les combinera avec des photomasques traditionnels de 150 millimètres. Une ligne de production pilote pour la fabrication de photomasques plus grands (300 mm) est prévue pour 2031, et leur utilisation en production de masse ne commencera qu'en 2033.
Importance pour l'industrie
La société néerlandaise ASML a présenté des équipements EUV à faible ouverture numérique dès 2019, puis s'est préparée pendant de nombreuses années au lancement de systèmes à haute ouverture numérique. L'accord actuel entre trois géants de l'industrie des semi-conducteurs pour une transition conjointe vers de nouvelles technologies donne un élan au développement de l'ensemble de l'écosystème de production de puces.
Cette modernisation permettra à l'industrie de créer des puces plus performantes et perfectionnées, nécessaires à la demande croissante en intelligence artificielle, en cloud computing et dans d'autres applications de haute technologie. Une approche coordonnée des principaux fabricants devrait accélérer l'atteinte des objectifs et réduire les coûts globaux d'implémentation des innovations.
Source : 3DNews
