TSMC, सैमसंग, और इंटेल ने नई लिथोग्राफिक तकनीकों में संक्रमण को तेज करने पर सहमति व्यक्त की

• TSMC, Samsung और Intel मिलकर High-NA EUV उपकरणों पर जा रहे हैं
• फोटोमास्क का आकार 150 से 300 मिलीमीटर तक बढ़ाया जाएगा
• स्कैनरों की क्षमता 40 प्रतिशत बढ़ जाएगी
• Samsung 2028 में तकनीक को लागू करेगा, TSMC 2030 में

सेमीकंडक्टर उद्योग उत्पादन प्रक्रियाओं के बड़े पैमाने पर आधुनिकीकरण के लिए तैयार हो रहा है। ताइवान की कंपनी TSMC, दक्षिण कोरियाई Samsung और अमेरिकी Intel ने उन्नत लिथोग्राफी तकनीकों को लागू करने पर सहमति व्यक्त की है, जो नई पीढ़ी के चिप्स के विकास और उत्पादन को महत्वपूर्ण रूप से तेज करना चाहिए।

इस सहयोग का एक प्रमुख तत्व High-NA EUV (उच्च संख्यात्मक एपर्चर के साथ अत्यधिक पराबैंगनी विकिरण) वर्ग के उपकरणों पर संक्रमण और फोटोमास्क के आकार में वृद्धि है - विशेष टेम्पलेट्स, जो सिलिकॉन वेफर्स पर चिप्स के डिज़ाइन के लिए उपयोग किए जाते हैं। पारंपरिक रूप से फोटोमास्क का आकार 150 मिलीमीटर था, हालाँकि उद्योग इस पैरामीटर को 300 मिलीमीटर तक दोगुना करने के लिए तैयार है।

इस तरह का संक्रमण लंबे समय तक उच्च उपकरण लागत और कार्यान्वयन की जटिलता के कारण आर्थिक रूप से असंगत माना गया। हालांकि, सभी प्रमुख निर्माताओं के समन्वित प्रयासों से निवेश का बोझ वितरित किया जा सकेगा और उद्योग के लिए आधुनिकीकरण को अधिक सुलभ बनाया जा सकेगा। लिथोग्राफिक उपकरणों की आपूर्तिकर्ता कंपनी ASML के प्रतिनिधियों का कहना है कि फोटोमास्क के आकार में वृद्धि से स्कैनरों की क्षमता 40 प्रतिशत बढ़ जाएगी और चिप डिजाइन करने की प्रक्रिया को सरल बनाया जाएगा।

नवाचारों के कार्यान्वयन का कार्यक्रम

इंटेल High-NA EUV तकनीक के उपयोग में अग्रणी है। कंपनी पहले ही प्रायोगिक नमूनों से Intel 18A तकनीक पर Panther Lake प्रोसेसर के श्रृंखलाबद्ध उत्पादन में इस तरह के उपकरणों के चयनात्मक उपयोग की ओर बढ़ चुकी है। अमेरिकी निर्माता पिछले तीन वर्षों से बड़े फोटोमास्क के संक्रमण को सक्रिय रूप से बढ़ावा दे रहा है।

सैमसंग 2028 में मेमोरी उत्पादन के लिए हाई-एनए ईयूवी उपकरणों का उपयोग शुरू करने की योजना बना रहा है। कंपनी नए फोटोमास्क के कार्यान्वयन में उद्योग भागीदारों के साथ सहयोग करेगी, हालांकि इस माइग्रेशन की विशिष्ट समयसीमा का उल्लेख नहीं किया गया है।

TSMC, दुनिया का सबसे बड़ा चिप अनुबंध निर्माता, अधिक सतर्कता से आगे बढ़ रहा है। कंपनी 2030 में हाई-NA EUV उपकरण का उपयोग करना शुरू करेगी, हालांकि प्रारंभ में इसे पारंपरिक 150 मिलीमीटर फोटोमास्क के साथ संयोजित किया जाएगा। बड़े फोटोमास्क (300 मिमी) के उत्पादन के लिए एक परीक्षण उत्पादन लाइन 2031 में शुरू करने की योजना है, और उनका उपयोग श्रृंखला उत्पादन में केवल 2033 में शुरू होगा।

उद्योग के लिए महत्व

नीदरलैंड की कंपनी ASML ने 2019 में कम संख्यात्मक अपर्चर EUV उपकरण पेश किया, और फिर कई वर्षों तक उच्च संख्यात्मक अपर्चर सिस्टम के लॉन्च की तैयारी की। सेमीकंडक्टर उद्योग के तीन दिग्गजों के बीच नए तकनीकों की ओर सामूहिक रूप से बढ़ने पर सहमति ने चिप उत्पादन की पूरी पारिस्थितिकी तंत्र के विकास को गति दी है।

इस तरह का आधुनिकीकरण उद्योग को अधिक उत्पादक और उन्नत माइक्रोचिप्स बनाने की अनुमति देगा, जो कृत्रिम बुद्धिमत्ता, क्लाउड कंप्यूटिंग और अन्य उच्च तकनीकी अनुप्रयोगों की बढ़ती मांग के लिए आवश्यक हैं। प्रमुख निर्माताओं का समन्वित दृष्टिकोण लक्षित मापदंडों को प्राप्त करने में तेजी लाने और नवाचारों को लागू करने की कुल लागत को कम करने में मदद करेगा।

स्रोत: 3DNews