TSMC, Samsung und Intel haben sich darauf geeinigt, den Übergang zu neuen lithografischen Technologien zu beschleunigen
- TSMC, Samsung und Intel gehen gemeinsam auf High-NA EUV-Ausrüstung über
- Die Größe der Fotomasken wird von 150 auf 300 Millimeter erhöht
- Die Durchsatzkapazität der Scanner wird um 40 Prozent steigen
- Samsung wird die Technologie im Jahr 2028 einführen, TSMC im Jahr 2030
Die Halbleiterindustrie bereitet sich auf eine umfassende Modernisierung der Produktionsprozesse vor. Das taiwanesische Unternehmen TSMC, das südkoreanische Unternehmen Samsung und das amerikanische Unternehmen Intel haben sich auf die Einführung fortschrittlicher lithografischer Technologien geeinigt, die die Entwicklung und Produktion von Chips der nächsten Generation erheblich beschleunigen sollen.
Ein zentrales Element dieser Zusammenarbeit ist der Übergang zu High-NA EUV-Ausrüstung (extreme ultraviolette Strahlung mit hoher numerischer Apertur) und die Vergrößerung der Größe der Fotomasken – speziellen Vorlagen, die zur Gestaltung von Mikrochips auf Siliziumwafern verwendet werden. Traditionell hatten Fotomasken eine Größe von 150 Millimetern, jedoch bereitet sich die Branche auf eine Verdopplung dieses Wertes auf 300 Millimeter vor.
Ein solcher Übergang wurde lange Zeit als wirtschaftlich unpraktisch angesehen, aufgrund der hohen Kosten für die Ausrüstung und der Komplexität der Implementierung. Die abgestimmten Maßnahmen aller wichtigen Hersteller werden jedoch die Investitionslast verteilen und die Modernisierung für die Branche insgesamt zugänglicher machen. Vertreter des Unternehmens ASML, das lithografische Ausrüstung liefert, weisen darauf hin, dass die Vergrößerung der Fotomasken die Durchsatzrate der Scanner um 40 Prozent erhöhen und den Chipdesignprozess vereinfachen wird.
Zeitplan für die Einführung von Innovationen
Intel ist führend in der Anwendung der High-NA EUV-Technologie. Das Unternehmen hat bereits den Übergang von Prototypen zur selektiven Nutzung solcher Ausrüstung in der Serienproduktion von Prozessoren der Panther Lake-Technologie Intel 18A vollzogen. Der amerikanische Hersteller fördert auch aktiv den Übergang zu großen Fotomasken seit den letzten drei Jahren.
Samsung plant, 2028 mit der Nutzung von High-NA EUV-Ausrüstung für die Speicherproduktion zu beginnen. Das Unternehmen wird mit Branchenpartnern bei der Einführung neuer Fotomasken zusammenarbeiten, jedoch sind keine konkreten Fristen für diese Migration angegeben.
TSMC, der größte Auftragshersteller von Chips der Welt, geht konservativer vor. Das Unternehmen wird 2030 mit der Nutzung von High-NA EUV-Ausrüstung beginnen, jedoch zunächst diese mit traditionellen Fotomasken von 150 Millimetern kombinieren. Eine Pilotproduktionslinie für die Herstellung größerer Fotomasken (300 mm) ist für 2031 geplant, und ihre Verwendung in der Serienproduktion wird erst 2033 beginnen.
Bedeutung für die Branche
Das niederländische Unternehmen ASML stellte 2019 EUV-Ausrüstung mit niedriger numerischer Apertur vor und bereitete sich dann viele Jahre auf die Einführung von Systemen mit hoher numerischer Apertur vor. Die aktuelle Zustimmung der drei Giganten der Halbleiterindustrie zum gemeinsamen Übergang zu neuen Technologien gibt der gesamten Chipproduktionsökosystem einen Schub.
Eine solche Modernisierung wird es der Branche ermöglichen, leistungsfähigere und fortschrittlichere Mikrochips zu entwickeln, die für die wachsende Nachfrage nach künstlicher Intelligenz, Cloud-Computing und anderen hochmodernen Anwendungen erforderlich sind. Der koordinierte Ansatz der Hauptproduzenten sollte die Erreichung der Zielvorgaben beschleunigen und die Gesamtkosten für die Einführung von Innovationen senken.
Quelle: 3DNews
