A TSMC, Samsung e Intel concordaram em acelerar a transição para novas tecnologias litográficas
- A TSMC, Samsung e Intel estão juntas na transição para equipamentos de EUV High-NA
- O tamanho das fotomáscaras será aumentado de 150 para 300 milímetros
- A capacidade dos scanners aumentará em 40 por cento
- A Samsung implementará a tecnologia em 2028, a TSMC em 2030
A indústria de semicondutores está se preparando para uma modernização em larga escala dos processos de produção. A empresa taiwanesa TSMC, a sul-coreana Samsung e a americana Intel concordaram em implementar tecnologias litográficas avançadas, que devem acelerar significativamente o desenvolvimento e a produção de chips de nova geração.
Um elemento chave dessa colaboração é a transição para equipamentos da classe High-NA EUV (radiação ultravioleta extrema com alta abertura numérica) e o aumento do tamanho das fotomáscaras — moldes especiais usados para projetar circuitos integrados em wafers de silício. Tradicionalmente, as fotomáscaras tinham um tamanho de 150 milímetros, no entanto, a indústria está se preparando para dobrar esse parâmetro para 300 milímetros.
Essa transição foi considerada economicamente inviável por um longo tempo devido ao alto custo do equipamento e à complexidade da implementação. No entanto, as ações coordenadas de todos os principais fabricantes permitirão distribuir o ônus do investimento e tornar a modernização mais acessível para a indústria como um todo. Representantes da empresa ASML, fornecedora de equipamentos de litografia, observam que o aumento do tamanho das fotomáscaras permitirá aumentar a capacidade dos scanners em 40 por cento e simplificar o processo de design de chips.
Cronograma de implementação de inovações
A Intel é líder na aplicação da tecnologia High-NA EUV. A empresa já passou de protótipos para o uso seletivo desse equipamento na produção em série de processadores Panther Lake com a tecnologia Intel 18A. O fabricante americano também tem promovido ativamente a transição para grandes fotomáscaras nos últimos três anos.
A Samsung planeja começar a usar equipamentos High-NA EUV para a produção de memória em 2028. A empresa irá interagir com parceiros da indústria na implementação de novas fotomáscaras, no entanto, os prazos específicos para essa migração não foram indicados.
A TSMC, o maior fabricante de chips sob contrato do mundo, está se movendo de forma mais conservadora. A empresa começará a usar equipamentos EUV de alta NA em 2030, no entanto, inicialmente combinará isso com máscaras fotográficas tradicionais de 150 milímetros. Uma linha de produção experimental para a fabricação de máscaras fotográficas maiores (300 mm) está prevista para ser lançada em 2031, e seu uso na produção em série começará apenas em 2033.
Importância para a indústria
A empresa holandesa ASML apresentou equipamentos EUV com baixa abertura numérica em 2019, e então se preparou por muitos anos para o lançamento de sistemas com alta abertura numérica. O atual consenso entre três gigantes da indústria de semicondutores sobre a transição conjunta para novas tecnologias dá impulso ao desenvolvimento de todo o ecossistema de fabricação de chips.
Essa modernização permitirá que a indústria crie chips mais produtivos e avançados, necessários para a crescente demanda por inteligência artificial, computação em nuvem e outros aplicativos de alta tecnologia. A abordagem coordenada dos principais fabricantes deve acelerar a realização das metas e reduzir os custos gerais de implementação de inovações.
Fonte: 3DNews
