TSMC, Samsung i Intel zgodzili się przyspieszyć przejście na nowe technologie litograficzne
- TSMC, Samsung i Intel wspólnie przechodzą na sprzęt High-NA EUV
- Rozmiar fotomasek zwiększy się z 150 do 300 milimetrów
- Przepustowość skanerów wzrośnie o 40 procent
- Samsung wdroży technologię w 2028 roku, TSMC w 2030 roku
Przemysł półprzewodnikowy przygotowuje się do dużej modernizacji procesów produkcyjnych. Tajwańska firma TSMC, południowokoreańska Samsung i amerykańska Intel uzgodniły wdrożenie zaawansowanych technologii litograficznych, które mają znacznie przyspieszyć rozwój i produkcję chipów nowej generacji.
Kluczowym elementem tej współpracy jest przejście na sprzęt klasy High-NA EUV (ekstremalne promieniowanie ultrafioletowe o wysokiej aperturze numerycznej) oraz zwiększenie rozmiaru fotomasek — specjalnych szablonów używanych do projektowania układów scalonych na krzemowych waflach. Tradycyjnie fotomaski miały rozmiar 150 milimetrów, jednak branża przygotowuje się do podwojenia tego parametru do 300 milimetrów.
Taki przejście przez długi czas uważano za ekonomicznie nieopłacalne z powodu wysokich kosztów sprzętu i złożoności wdrożenia. Jednak skoordynowane działania wszystkich głównych producentów pozwolą rozłożyć ciężar inwestycyjny i uczynią modernizację bardziej dostępną dla branży jako całości. Przedstawiciele firmy ASML, dostarczającej sprzęt litograficzny, zauważają, że zwiększenie rozmiaru fotomasek pozwoli zwiększyć przepustowość skanerów o 40 procent i uprości proces projektowania chipów.
Harmonogram wdrażania innowacji
Intel jest liderem w zastosowaniu technologii High-NA EUV. Firma już przeszła od prototypów do selektywnego wykorzystania takiego sprzętu w seryjnej produkcji procesorów Panther Lake w technologii Intel 18A. Amerykański producent również aktywnie promuje przejście na duże fotomaski przez ostatnie trzy lata.
Samsung planuje rozpocząć użycie sprzętu High-NA EUV do produkcji pamięci w 2028 roku. Firma będzie współpracować z partnerami branżowymi przy wdrażaniu nowych fotomasek, jednak konkretne terminy tej migracji nie zostały podane.
TSMC, największy kontraktowy producent chipów na świecie, działa bardziej konserwatywnie. Firma zacznie używać sprzętu High-NA EUV w 2030 roku, jednak początkowo będzie łączyć go z tradycyjnymi fotomaskami o rozmiarze 150 milimetrów. Doświadczenie produkcyjne dla wydania większych fotomask (300 mm) planowane jest na 2031 rok, a ich użycie w produkcji seryjnej rozpocznie się dopiero w 2033 roku.
Znaczenie dla branży
Holenderska firma ASML zaprezentowała sprzęt EUV o niskiej aperturze numerycznej już w 2019 roku, a następnie przez wiele lat przygotowywała się do uruchomienia systemów o wysokiej aperturze numerycznej. Obecna zgoda trzech gigantów przemysłu półprzewodnikowego na wspólną przejście do nowych technologii daje impuls do rozwoju całego ekosystemu produkcji chipów.
Taka modernizacja pozwoli branży tworzyć bardziej wydajne i zaawansowane układy scalone, niezbędne do rosnącego zapotrzebowania na sztuczną inteligencję, obliczenia w chmurze i inne aplikacje wysokotecnologiczne. Uzgodnione podejście głównych producentów powinno przyspieszyć osiągnięcie celów i obniżyć ogólne koszty wprowadzania innowacji.
Źródło: 3DNews
