Jensen Huang: до 2030 року Китай освоїть передову літографію
- Заборона ASML на експорт EUV-обладнання в Китай з 2019 року
- Jensen Huang прогнозує самостійне створення EUV‑технологій до 2030 року
- Китайський постачальник SMEE поки випускає лише 193 нм DUV‑сканери
- Масове виробництво за новими системами можливе не раніше 2028‑2029 року
З 2019 року уряд Нідерландів ввів заборону на експорт літографічних машин з екстремальним ультрафіолетовим випромінюванням (EUV) до Китаю. За офіційними даними жодна така установка не була поставлена в країну, що суттєво обмежило можливості місцевих виробників напівпровідників.
Прогноз Дженсена Хуанга
В недавньому подкасті «All‑In», на який посилаються технологічні видання, Дженсен Хуанг, голова Nvidia, заявив, що китайські інженери вже на шляху до створення власних EUV‑сканерів. На його думку, до 2030 року Китай зможе запустити серійне виробництво чіпів за найсучаснішими технологічними процесами, а залишковий проміжок у два‑три роки буде лише невеликим «щелчком».
Хуанг також зазначив, що країна має сильні навички масового виробництва, що, на його думку, прискорить процес впровадження нових літографічних рішень.
Тим не менш, незалежні аналітики вказують, що поточний рівень китайського обладнання від компанії SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) поки далекий від EUV‑технологій. На даний момент SMEE пропонує сканери, що працюють з лазерами довжиною хвилі 193 нм, призначені для сухої літографії і здатні виробляти чіпи з технологією 90 нм. За чутками, компанія також розробила сканер для занурювальної літографії, що дозволяє виготовляти деталі розміром 28 нм, однак підтвердженої інформації про серійні поставки поки немає.
Навіть якщо такі машини з'являться в Китаї вже в цьому році, масове виробництво на їх основі, за оцінками експертів, не почнеться раніше 2028‑2029 року. У сфері занурювальної DUV-літографії китайські аналоги відстають від сучасних систем ASML, а в сегменті передової EUV-літографії відставання значно більше, оскільки у місцевих виробників поки немає працюючих прототипів сканерів.
Цікавим моментом є те, що китайські вчені вже змогли створити лазерні джерела з довжиною хвилі 13,5 нм — ключовий параметр для EUV-техніки. Однак відсутність доступу до повного ланцюга обладнання, що постачається західними компаніями, змушує Китай покладатися на імпортозаміщення та власні розробки, що, на думку Хуанга, лише прискорить скорочення технологічного розриву.
Таким чином, незважаючи на суттєві поточні обмеження, експерти вважають, що до кінця наступного десятиліття Китай може досягти рівня, що дозволяє конкурувати з провідними виробниками напівпровідників, однак шлях до цього вимагатиме значних інвестицій і часу.
Джерело: 3DNews
