Jensen Huang: do 2030 roku Chiny opanują zaawansowaną litografię

• Zakaz ASML na eksport sprzętu EUV do Chin od 2019 roku
• Jensen Huang przewiduje samodzielne opracowanie technologii EUV do 2030 roku
• Chiński dostawca SMEE na razie produkuje tylko skanery DUV 193 nm
• Masowa produkcja nowych systemów możliwa nie wcześniej niż w latach 2028-2029

Od 2019 roku rząd Holandii wprowadził zakaz eksportu maszyn litograficznych z ekstremalnym ultrafioletem (EUV) do Chin. Z danych oficjalnych wynika, że żadna taka instalacja nie została dostarczona do kraju, co znacznie ograniczyło możliwości lokalnych producentów półprzewodników.

Prognoza Jensena Huanga

W niedawnym podcaście „All‑In”, na który powołują się wydania technologiczne, Jensen Huang, szef Nvidia, stwierdził, że chińscy inżynierowie są już na drodze do stworzenia własnych skanerów EUV. Jego zdaniem, do 2030 roku Chiny będą mogły uruchomić seryjną produkcję chipów według najnowocześniejszych procesów technologicznych, a pozostały okres dwóch–trzech lat będzie jedynie małym „kliknięciem”.

Huang zauważył również, że kraj dysponuje silnymi umiejętnościami masowej produkcji, co, jego zdaniem, przyspieszy proces wdrażania nowych rozwiązań litograficznych.

Niemniej jednak niezależni analitycy wskazują, że obecny poziom chińskiego sprzętu od firmy SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) jest wciąż daleki od technologii EUV. Na chwilę obecną SMEE oferuje skanery działające z laserami o długości fali 193 nm, przeznaczone do litografii na sucho i zdolne do produkcji chipów w technologii 90 nm. Podobno firma opracowała również skaner do litografii zanurzeniowej, umożliwiający wytwarzanie elementów o rozmiarze 28 nm, jednak na razie brak potwierdzonej informacji o seryjnych dostawach.

Nawet jeśli takie maszyny pojawią się w Chinach już w tym roku, masowa produkcja na ich podstawie, według szacunków ekspertów, nie zacznie się wcześniej niż w 2028‑2029 roku. W dziedzinie zanurzonej litografii DUV chińskie odpowiedniki pozostają w tyle za nowoczesnymi systemami ASML, a w segmencie zaawansowanej litografii EUV opóźnienie jest znacznie większe, ponieważ lokalni producenci na razie nie mają działających prototypów skanerów.

Interesującym momentem jest to, że chińscy naukowcy już zdołali stworzyć źródła laserowe o długości fali 13,5 nm — kluczowy parametr dla technologii EUV. Jednak brak dostępu do pełnego łańcucha sprzętu dostarczanego przez zachodnie firmy zmusza Chiny do polegania na importozastępowaniu i własnych opracowaniach, co, zdaniem Huanga, tylko przyspieszy zmniejszenie luki technologicznej.

W ten sposób, pomimo istotnych obecnych ograniczeń, eksperci uważają, że do końca następnej dekady Chiny mogą osiągnąć poziom pozwalający konkurować z wiodącymi producentami półprzewodników, jednak droga do tego będzie wymagała znacznych inwestycji i czasu.

Źródło: 3DNews