Jensen Huang: entro il 2030 la Cina padroneggerà la litografia avanzata

• Il divieto di ASML all'esportazione di attrezzature EUV in Cina dal 2019
• Jensen Huang prevede la creazione autonoma di tecnologie EUV entro il 2030
• Il fornitore cinese SMEE produce attualmente solo scanner DUV da 193 nm
• La produzione di massa dei nuovi sistemi non sarà possibile prima del 2028-2029

Dal 2019, il governo dei Paesi Bassi ha imposto un divieto all'esportazione di macchine litografiche a radiazione ultravioletta estrema (EUV) in Cina. Secondo dati ufficiali, nessun impianto di questo tipo è stato fornito nel paese, limitando notevolmente le possibilità dei produttori locali di semiconduttori.

Previsione di Jensen Huang

Nel recente podcast «All‑In», citato da pubblicazioni tecnologiche, Jensen Huang, CEO di Nvidia, ha dichiarato che gli ingegneri cinesi sono già sulla buona strada per creare i propri scanner EUV. Secondo lui, entro il 2030 la Cina sarà in grado di avviare la produzione in serie di chip utilizzando i processi tecnologici più avanzati, e il restante intervallo di due o tre anni sarà solo un piccolo «clic».

Huang ha anche sottolineato che il paese possiede forti competenze nella produzione di massa, il che, secondo lui, accelererà il processo di adozione di nuove soluzioni litografiche.

Tuttavia, analisti indipendenti segnalano che l'attuale livello di attrezzature cinesi della società SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) è ancora lontano dalle tecnologie EUV. Attualmente, SMEE offre scanner che operano con laser a lunghezza d'onda di 193 nm, destinati alla litografia secca e in grado di produrre chip con tecnologia a 90 nm. Si dice che l'azienda abbia anche sviluppato uno scanner per litografia immersione, in grado di produrre componenti di dimensioni 28 nm, ma al momento non ci sono informazioni confermate sulle forniture in serie.

Anche se tali macchine dovessero apparire in Cina già quest'anno, la produzione di massa basata su di esse, secondo le stime degli esperti, non inizierà prima del 2028-2029. Nel campo della litografia DUV immersiva, i corrispondenti cinesi sono in ritardo rispetto ai moderni sistemi ASML, e nel segmento della litografia EUV avanzata il ritardo è significativamente maggiore, poiché i produttori locali non hanno ancora prototipi funzionanti di scanner.

Un aspetto interessante è che gli scienziati cinesi sono già riusciti a creare sorgenti laser con una lunghezza d'onda di 13,5 nm — un parametro chiave per la tecnologia EUV. Tuttavia, l'assenza di accesso all'intera catena di attrezzature fornite da aziende occidentali costringe la Cina a fare affidamento sull'autosufficienza e sui propri sviluppi, il che, secondo Huang, accelererà solo la riduzione del divario tecnologico.

Pertanto, nonostante le attuali limitazioni significative, gli esperti ritengono che entro la fine del prossimo decennio la Cina potrebbe raggiungere un livello che le consenta di competere con i principali produttori di semiconduttori, tuttavia il percorso per arrivarci richiederà investimenti significativi e tempo.

Fonte: 3DNews