Jensen Huang: para 2030 China dominará la litografía avanzada

• Запрет ASML на экспорт EUV‑оборудования в Китай с 2019 года
• Jensen Huang предсказывает самостоятельное создание EUV‑технологий к 2030 году
• Китайский поставщик SMEE пока выпускает лишь 193 нм DUV‑сканеры
• Массовое производство по новым системам возможно не раньше 2028‑2029 года

С 2019 года правительство Нидерландов ввело запрет на экспорт литографических машин с экстремальным ультрафиолетовым излучением (EUV) в Китай. По официальным данным ни одна такая установка не была поставлена в страну, что существенно ограничило возможности местных производителей полупроводников.

Прогноз Дженсена Хуанга

В недавнем подкасте «All‑In», на который ссылаются технологические издания, Дженсен Хуанг, глава Nvidia, заявил, что китайские инженеры уже находятся на пути к созданию собственных EUV‑сканеров. По его мнению, к 2030 году Китай сможет запустить серийное производство чипов по самым передовым технологическим процессам, а оставшийся промежуток в два‑три года будет лишь небольшим «щелчком».

Хуанг также отметил, что страна обладает сильными навыками массового производства, что, по его мнению, ускорит процесс внедрения новых литографических решений.

Тем не менее, независимые аналитики указывают, что текущий уровень китайского оборудования от компании SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) пока далёк от EUV‑технологий. На данный момент SMEE предлагает сканеры, работающие с лазерами длиной волны 193 нм, предназначенные для сухой литографии и способные производить чипы с технологией 90 нм. По слухам, компания также разработала сканер для погружной литографии, позволяющий изготавливать детали размером 28 нм, однако подтверждённой информации о серийных поставках пока нет.

Даже если такие машины появятся в Китае уже в этом году, массовое производство на их основе, по оценкам экспертов, не начнётся ранее 2028‑2029 года. В области погружной DUV‑литографии китайские аналоги отстают от современных систем ASML, а в сегменте передовой EUV‑литографии отставание значительно больше, поскольку у местных производителей пока нет работающих прототипов сканеров.

Интересным моментом является то, что китайские учёные уже смогли создать лазерные источники с длиной волны 13,5 нм — ключевой параметр для EUV‑техники. Однако отсутствие доступа к полной цепочке оборудования, поставляемой западными компаниями, вынуждает Китай полагаться на импортозамещение и собственные разработки, что, по мнению Хуанга, лишь ускорит сокращение технологического разрыва.

Таким образом, несмотря на существенные текущие ограничения, эксперты считают, что к концу следующего десятилетия Китай может достичь уровня, позволяющего конкурировать с ведущими производителями полупроводников, однако путь к этому будет требовать значительных инвестиций и времени.

Fuente: 3DNews