TSMC, Samsung e Intel hanno concordato di accelerare la transizione verso nuove tecnologie litografiche
- TSMC, Samsung e Intel stanno collaborando per passare a attrezzature High-NA EUV
- Le dimensioni delle fotomaschere saranno aumentate da 150 a 300 millimetri
- La capacità dei scanner aumenterà del 40 percento
- Samsung implementerà la tecnologia nel 2028, TSMC nel 2030
L'industria dei semiconduttori si sta preparando a una vasta modernizzazione dei processi produttivi. L'azienda taiwanese TSMC, la sudcoreana Samsung e l'americana Intel hanno concordato di implementare tecnologie litografiche avanzate, che dovrebbero accelerare significativamente lo sviluppo e la produzione di chip di nuova generazione.
Un elemento chiave di questa collaborazione è il passaggio a attrezzature di classe High-NA EUV (radiazione ultravioletta estrema con alta apertura numerica) e l'aumento delle dimensioni delle fotomaschere - modelli speciali utilizzati per progettare circuiti integrati su wafer di silicio. Tradizionalmente, le fotomaschere avevano una dimensione di 150 millimetri, tuttavia l'industria si sta preparando a raddoppiare questo parametro a 300 millimetri.
Questo passaggio è stato a lungo considerato economicamente non sostenibile a causa dell'alto costo delle attrezzature e della complessità dell'implementazione. Tuttavia, le azioni concordate di tutti i principali produttori permetteranno di distribuire il peso degli investimenti e renderanno la modernizzazione più accessibile per l'industria nel suo complesso. I rappresentanti dell'azienda ASML, fornitrice di attrezzature litografiche, sottolineano che l'aumento delle dimensioni delle fotomask permetterà di aumentare la capacità dei scanner del 40% e semplificare il processo di progettazione dei chip.
Piano di implementazione delle innovazioni
Intel è leader nell'applicazione della tecnologia High-NA EUV. L'azienda è già passata dai prototipi all'uso selettivo di tale attrezzatura nella produzione in serie dei processori Panther Lake con tecnologia Intel 18A. Il produttore americano promuove anche attivamente il passaggio a fotomask di grandi dimensioni negli ultimi tre anni.
Samsung prevede di iniziare a utilizzare attrezzature High-NA EUV per la produzione di memoria nel 2028. L'azienda collaborerà con partner del settore nell'implementazione di nuovi fotomask, tuttavia non sono indicati tempi specifici per questa migrazione.
TSMC, il più grande produttore di chip a contratto al mondo, si muove in modo più conservativo. L'azienda inizierà a utilizzare attrezzature High-NA EUV nel 2030, ma inizialmente le combinerà con maschere fotografiche tradizionali da 150 millimetri. Una linea di produzione pilota per la produzione di maschere fotografiche più grandi (300 mm) è prevista per il 2031, mentre il loro utilizzo nella produzione di massa inizierà solo nel 2033.
Importanza per l'industria
L'azienda olandese ASML ha presentato attrezzature EUV a bassa apertura numerica già nel 2019, e poi per molti anni si è preparata al lancio di sistemi ad alta apertura numerica. L'attuale accordo tra tre giganti dell'industria dei semiconduttori per un passaggio congiunto a nuove tecnologie dà slancio allo sviluppo dell'intero ecosistema di produzione di chip.
Tale modernizzazione consentirà all'industria di creare microchip più performanti e avanzati, necessari per la crescente domanda di intelligenza artificiale, cloud computing e altre applicazioni ad alta tecnologia. L'approccio concordato dei principali produttori dovrebbe accelerare il raggiungimento degli obiettivi e ridurre i costi complessivi per l'implementazione delle innovazioni.
Fonte: 3DNews
