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TSMC, Samsung e Intel acordaron acelerar la transición a nuevas tecnologías litográficas

AutorEquipo editorial 8-09-2026, 12:36 92
TSMC, Samsung e Intel acordaron acelerar la transición a nuevas tecnologías litográficas
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En breve
  • TSMC, Samsung e Intel están colaborando para pasar a equipos de EUV de alta NA
  • El tamaño de las fotomáscaras se incrementará de 150 a 300 milímetros
  • La capacidad de los escáneres aumentará en un 40 por ciento
  • Samsung implementará la tecnología en 2028, TSMC en 2030

La industria de semiconductores se está preparando para una modernización a gran escala de los procesos de producción. La empresa taiwanesa TSMC, la surcoreana Samsung y la estadounidense Intel han acordado implementar tecnologías litográficas avanzadas que deberían acelerar significativamente el desarrollo y la producción de chips de nueva generación.

Un elemento clave de esta colaboración es la transición a equipos de clase High-NA EUV (radiación ultravioleta extrema con alta apertura numérica) y el aumento del tamaño de las fotomáscaras, que son plantillas especiales utilizadas para diseñar circuitos integrados en obleas de silicio. Tradicionalmente, las fotomáscaras tenían un tamaño de 150 milímetros, sin embargo, la industria se está preparando para duplicar este parámetro a 300 milímetros.

Esta transición se consideró durante mucho tiempo económicamente inviable debido al alto costo del equipo y la complejidad de la implementación. Sin embargo, las acciones coordinadas de todos los principales fabricantes permitirán distribuir la carga de inversión y harán que la modernización sea más accesible para la industria en su conjunto. Los representantes de la empresa ASML, que suministra equipos de litografía, señalan que el aumento del tamaño de las fotomáscaras permitirá aumentar la capacidad de los escáneres en un 40 por ciento y simplificar el proceso de diseño de chips.

Cronograma de implementación de innovaciones

Intel es líder en la aplicación de la tecnología High-NA EUV. La empresa ya ha pasado de prototipos a un uso selectivo de dicho equipo en la producción en serie de procesadores Panther Lake con la tecnología Intel 18A. El fabricante estadounidense también ha estado promoviendo activamente la transición a fotomáscaras grandes durante los últimos tres años.

Samsung planea comenzar a utilizar equipos EUV de alta NA para la producción de memoria en 2028. La compañía interactuará con socios de la industria al implementar nuevas fotomáscaras, sin embargo, no se indican plazos específicos para esta migración.

TSMC, el mayor fabricante de chips por contrato en el mundo, se está moviendo de manera más conservadora. La compañía comenzará a utilizar equipos de EUV de alta NA en 2030, sin embargo, inicialmente combinará esto con máscaras fotográficas tradicionales de 150 milímetros. Se planea lanzar una línea de producción piloto para la fabricación de máscaras fotográficas más grandes (300 mm) en 2031, y su uso en producción en serie comenzará solo en 2033.

Importancia para la industria

La empresa neerlandesa ASML presentó equipos de EUV de baja apertura numérica en 2019, y luego se preparó durante muchos años para el lanzamiento de sistemas de alta apertura numérica. El actual acuerdo de los tres gigantes de la industria de semiconductores para una transición conjunta a nuevas tecnologías impulsa el desarrollo de todo el ecosistema de fabricación de chips.

Esta modernización permitirá a la industria crear microchips más potentes y avanzados, necesarios para la creciente demanda de inteligencia artificial, computación en la nube y otras aplicaciones de alta tecnología. El enfoque coordinado de los principales fabricantes debería acelerar el logro de los objetivos y reducir los costos generales de implementación de innovaciones.

Fuente: 3DNews

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