詹森·黄：到2030年，中国将掌握先进的光刻技术

• 自2019年以来，ASML禁止向中国出口EUV设备
• Jensen Huang预测到2030年将自主研发EUV技术
• 中国供应商SMEE目前仅生产193nm DUV扫描仪
• 新系统的大规模生产可能要到2028-2029年才能实现

自2019年以来，荷兰政府已禁止向中国出口极紫外光（EUV）光刻机。根据官方数据，至今没有一台此类设备被运往中国，这大大限制了当地半导体制造商的能力。

詹森·黄的预测

在最近的播客《All‑In》中，Nvidia首席执行官詹森·黄表示，中国工程师已经在朝着制造自己的EUV扫描仪的方向努力。他认为，到2030年，中国将能够启动最先进工艺的芯片量产，而剩下的两到三年只是一个小“点击”。

黄还指出，该国在大规模生产方面具备强大的技能，这将加速新光刻解决方案的实施。

然而，独立分析师指出，中国SMEE（上海微电子装备）公司的当前设备水平仍远未达到EUV技术。目前，SMEE提供的扫描仪使用193nm波长的激光，适用于干法光刻，并能够生产90nm工艺的芯片。据传，该公司还开发了一种用于浸没式光刻的扫描仪，能够制造28nm尺寸的部件，但目前尚无关于量产供应的确认信息。

即使这些机器在今年出现在中国，专家估计，基于它们的批量生产也不会在2028-2029年之前开始。在沉浸式DUV光刻领域，中国的类似产品落后于现代ASML系统，而在先进的EUV光刻领域，落后程度更大，因为当地制造商目前还没有可工作的扫描仪原型。

有趣的是，中国科学家已经能够创造出波长为13.5纳米的激光源——这是EUV技术的关键参数。然而，由于无法获得西方公司提供的完整设备链，中国不得不依赖进口替代和自主研发，黄认为这只会加速技术差距的缩小。

因此，尽管目前存在重大限制，专家认为到下一个十年末，中国可能达到与领先半导体制造商竞争的水平，但实现这一目标将需要大量投资和时间。

来源：3DNews