游戏 2 分钟
台积电、三星和英特尔同意加速向新光刻技术的过渡
Три крупнейших производителя чипов договорились о совместном переходе на оборудование High-NA EUV и увеличенные фотомаски размером 300 мм. Это позволит повысить произво…
Три крупнейших производителя чипов договорились о совместном переходе на оборудование High-NA EUV и увеличенные фотомаски размером 300 мм. Это позволит повысить произво…
Тайваньские исследователи совместно с инженерами TSMC разработали способ производства двумерных транзисторов на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂). Бл…