Китайська CXMT почала масове виробництво DRAM п'ятого покоління
- CXMT почала серійне виробництво DRAM п'ятого покоління.
- Технологія зменшує відстань осередків до 11,95 нм.
- Нові LPDDR5X‑чіпи дають на 50 % більше пам'яті.
- Платформа підвищує вихід кристалів з пластини мінімум на 50 %.
Китайський виробник напівпровідників CXMT офіційно повідомив про початок серійного випуску мікросхем DRAM п'ятого покоління. За заявою компанії, ця подія відкриває шлях до створення більш конкурентоспроможних рішень у сегменті оперативної пам'яті, де традиційно домінують Samsung, SK hynix та Micron.
Нова технологічна платформа орієнтована на підвищення щільності розміщення комірок пам'яті, зниження енергоспоживання та скорочення собівартості виробів. За словами представників CXMT, такі характеристики дозволять запропонувати виробникам електроніки альтернативне джерело чіпів для смартфонів, ноутбуків та іншої портативної техніки.
Технічні особливості
Компанія підкреслила, що завдяки застосуванню методу самовирівнюючогося чотирикратного літографічного формування малюнка вдалося зменшити відстань між ключовими елементами осередку пам'яті до 11,95 нм. Це дозволяє розмістити більше бітів на одному кристалі і збільшити кількість готових чіпів, отримуваних з однієї кремнієвої пластини.
Віце-президент CXMT Луо Сяодун зазначив, що поточні технологічні можливості компанії «не поступаються найсучаснішим техпроцесам, що використовуються в галузі для масового виробництва». За його словами, нова платформа повністю готова до серійного випуску і відповідає вимогам сучасних мобільних пристроїв.
В рамках першої серії CXMT представила дві 24‑гігабітні мікросхеми LPDDR5X, виготовлені за новою технологією. За заявою виробника, кожен з цих чипів зберігає на 50 % більше даних у порівнянні з попередніми аналогами, зберігаючи при цьому низьке енергоспоживання. Обидві моделі вже знаходяться в серійному виробництві і пропонуються в двох варіантах, адаптованих під різні типи пристроїв.
Крім того, компанія заявила, що нова платформа дозволяє отримати як мінімум на 50 % більше заготовок з однієї кремнієвої пластини порівняно з попереднім, четвертим поколінням. Цей показник відображає потенційний вихід готових кристалів до врахування браку і не гарантує остаточний відсоток пройшлих тестування виробів.
Запуск масового виробництва DRAM п'ятого покоління відбувається в контексті масштабної стратегії Китаю щодо зміцнення власної напівпровідникової індустрії. Після введення західних експортних обмежень щодо передових чіпів китайські компанії прискорили розробки власних технологічних рішень, прагнучи знизити залежність від імпортних постачань.
Якщо нові чіпи CXMT справді зможуть запропонувати конкурентоспроможні ціни та характеристики, вони можуть стати важливим додатковим джерелом пам'яті для світових виробників смартфонів та інших електронних пристроїв. Це, у свою чергу, може пом'якшити поточні перебої в постачаннях, викликані геополітичною напругою.
Таким чином, запуск масового виробництва DRAM п'ятого покоління є значним кроком у розвитку китайської напівпровідникової галузі, який може змінити баланс сил на глобальному ринку пам'яті та надати виробникам електроніки ширший вибір постачальників.
Джерело: 3DNews
