Jensen Huang: para 2030 China dominará la litografía avanzada

• La prohibición de ASML sobre la exportación de equipos EUV a China desde 2019
• Jensen Huang predice la creación independiente de tecnologías EUV para 2030
• El proveedor chino SMEE solo produce escáneres DUV de 193 nm por el momento
• La producción en masa de nuevos sistemas no será posible antes de 2028-2029

Desde 2019, el gobierno de los Países Bajos impuso una prohibición sobre la exportación de máquinas de litografía con radiación ultravioleta extrema (EUV) a China. Según datos oficiales, ninguna de estas instalaciones ha sido enviada al país, lo que ha limitado significativamente las capacidades de los productores locales de semiconductores.

Pronóstico de Jensen Huang

En un reciente pódcast «All-In», al que se refieren las publicaciones tecnológicas, Jensen Huang, CEO de Nvidia, afirmó que los ingenieros chinos ya están en camino de crear sus propios escáneres EUV. En su opinión, para 2030 China podrá iniciar la producción en serie de chips utilizando los procesos tecnológicos más avanzados, y el intervalo restante de dos a tres años será solo un pequeño «clic».

Huang también señaló que el país tiene fuertes habilidades en producción en masa, lo que, en su opinión, acelerará el proceso de adopción de nuevas soluciones litográficas.

Sin embargo, analistas independientes señalan que el nivel actual del equipo chino de la empresa SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) aún está lejos de las tecnologías EUV. En este momento, SMEE ofrece escáneres que funcionan con láseres de longitud de onda de 193 nm, destinados a la litografía en seco y capaces de producir chips con tecnología de 90 nm. Según rumores, la empresa también ha desarrollado un escáner para litografía de inmersión, que permite fabricar componentes de tamaño de 28 nm, sin embargo, aún no hay información confirmada sobre entregas en serie.

Incluso si tales máquinas aparecen en China ya este año, la producción en masa basada en ellas, según estimaciones de expertos, no comenzará antes de 2028-2029. En el campo de la litografía DUV inmersiva, los análogos chinos están rezagados respecto a los sistemas modernos de ASML, y en el segmento de la litografía EUV avanzada, el retraso es significativamente mayor, ya que los fabricantes locales aún no tienen prototipos funcionales de escáneres.

Un aspecto interesante es que los científicos chinos ya han logrado crear fuentes láser con una longitud de onda de 13,5 nm, un parámetro clave para la tecnología EUV. Sin embargo, la falta de acceso a toda la cadena de equipos suministrados por empresas occidentales obliga a China a depender de la sustitución de importaciones y de sus propios desarrollos, lo que, según Huang, solo acelerará la reducción de la brecha tecnológica.

Así, a pesar de las limitaciones actuales significativas, los expertos creen que para finales de la próxima década, China podría alcanzar un nivel que le permita competir con los principales fabricantes de semiconductores, aunque el camino hacia esto requerirá inversiones y tiempo significativos.

Fuente: 3DNews