TSMC, Samsung та Intel погодилися прискорити перехід на нові літографічні технології
- TSMC, Samsung та Intel спільно переходять на High-NA EUV обладнання
- Розмір фотомасок збільшать з 150 до 300 міліметрів
- Пропускна спроможність сканерів зросте на 40 відсотків
- Samsung впровадить технологію в 2028 році, TSMC в 2030 році
Напівпровідникова індустрія готується до масштабної модернізації виробничих процесів. Тайванська компанія TSMC, південно-корейська Samsung та американська Intel домовилися про впровадження передових літографічних технологій, які повинні суттєво прискорити розробку та виробництво чіпів нового покоління.
Ключовим елементом цього співробітництва є перехід на обладнання класу High-NA EUV (екстремальне ультрафіолетове випромінювання з високою числовою апертурою) та збільшення розміру фотомасок — спеціальних шаблонів, що використовуються для проєктування мікросхем на кремнієвих пластинах. Традиційно фотомаски мали розмір 150 міліметрів, однак галузь готується до подвоєння цього параметра до 300 міліметрів.
Такий перехід довгий час вважався економічно недоцільним через високу вартість обладнання та складність впровадження. Однак узгоджені дії всіх основних виробників дозволять розподілити інвестиційне навантаження і зроблять модернізацію доступнішою для галузі в цілому. Представники компанії ASML, постачальника літографічного обладнання, зазначають, що збільшення розміру фотомасок дозволить підвищити пропускну здатність сканерів на 40 відсотків і спростити процес проектування чіпів.
Графік впровадження інновацій
Intel є лідером у застосуванні технології High-NA EUV. Компанія вже перейшла від дослідних зразків до вибіркового використання такого обладнання в серійному виробництві процесорів Panther Lake на технології Intel 18A. Американський виробник також активно пропагує перехід на великі фотомаски протягом останніх трьох років.
Samsung планує розпочати використання High-NA EUV обладнання для виробництва пам'яті у 2028 році. Компанія буде взаємодіяти з галузевими партнерами при впровадженні нових фотомасок, однак конкретні терміни цієї міграції не вказані.
TSMC, найбільший контрактний виробник чіпів у світі, рухається більш консервативно. Компанія почне використовувати High-NA EUV обладнання у 2030 році, однак спочатку буде комбінувати його з традиційними фотомасками розміром 150 міліметрів. Дослідна виробнича лінія для випуску більших фотомасок (300 мм) планується запустити у 2031 році, а їх використання в серійному виробництві почнеться лише у 2033 році.
Значення для галузі
Нідерландська компанія ASML представила обладнання EUV з низькою числовою апертурою ще в 2019 році, а потім багато років готувалася до запуску систем з високою числовою апертурою. Поточна згода трьох гігантів напівпровідникової індустрії на спільний перехід до нових технологій дає імпульс розвитку всієї екосистеми виробництва чіпів.
Така модернізація дозволить галузі створювати більш продуктивні та досконалі мікросхеми, необхідні для зростаючого попиту на штучний інтелект, хмарні обчислення та інші високотехнологічні застосунки. Узгоджений підхід основних виробників має прискорити досягнення цільових показників і знизити загальні витрати на впровадження інновацій.
Джерело: 3DNews
