Перейти к содержимому
Hi-Tech, Техника

Дефицит DRAM может смениться перепроизводством

АвторРедакция 20-07-2026, 09:00 92
Дефицит DRAM может смениться перепроизводством
Реклама
Коротко
  • Дефицит DRAM может смениться перепроизводством
  • Кризис перепроизводства может наступить в 2028 году
  • Инвесторы предупреждают о потенциальном кризисе

Производители микросхем памяти инвестируют в расширение мощностей, но эксперты предупреждают о потенциальном кризисе перепроизводства. Некоторые эксперты считают, что рынок памяти может столкнуться с кризисом перепроизводства уже в 2028 году.

Профессор Квон Сок Чун из Университета Сюнгюнгван считает, что спрос на память упадет, если отдача от инвестиций в ИИ не оправдает ожиданий. Известный инвестор Майкл Бьюрри также предупреждает о потенциальном кризисе на рынке памяти.

Компании Samsung и SK hynix объявили о намерениях вложить в расширение своих мощностей около $1,5 трлн на протяжении ближайших 15 лет. Однако дополнительные мощности в лучшем случае начнут влиять на объёмы поставок памяти через пять лет, а за это время ситуация со спросом может измениться.

Кадровый дефицит является важным фактором, ограничивающим высокие темпы экспансии производства памяти. Лучше всего от перепроизводства защищён сегмент HBM, поскольку эта память сильнее адаптирована под нужды конкретных заказчиков.

Активность китайских производителей памяти создаёт дополнительную сложность с формированием прогнозов. До 2028 года примерно 30 % расширения производственных мощностей будет приходиться именно на Китай, быстрее их будет наращивать только Южная Корея.

Источник: 3DNews

Насколько материал полезен?Оценка помогает нам выбирать темы
00 оценок
Аналитика

Статистика материала

92просмотров
0комментариев
1мин чтения
67 / 220место среди материалов раздела

Читают чаще, чем 70% материалов раздела.

Обсуждение

Пока никто не высказался — будьте первым.

Комментарии пишут участники Войдите на сайт — это бесплатно и занимает минуту. Комментарии проходят модерацию.
Войти
Реклама

На какие запросы отвечает эта страница