TSMC, Samsung и Intel согласились ускорить переход на новые литографические технологии

• TSMC, Samsung и Intel совместно переходят на High-NA EUV оборудование
• Размер фотомасок увеличат с 150 до 300 миллиметров
• Пропускная способность сканеров возрастёт на 40 процентов
• Samsung внедрит технологию в 2028 году, TSMC в 2030 году

Полупроводниковая индустрия готовится к масштабной модернизации производственных процессов. Тайваньская компания TSMC, южнокорейская Samsung и американская Intel договорились о внедрении передовых литографических технологий, которые должны существенно ускорить разработку и производство чипов нового поколения.

Ключевым элементом этого сотрудничества является переход на оборудование класса High-NA EUV (экстремальное ультрафиолетовое излучение с высокой числовой апертурой) и увеличение размера фотомасок — специальных шаблонов, используемых для проектирования микросхем на кремниевых пластинах. Традиционно фотомаски имели размер 150 миллиметров, однако отрасль готовится к удвоению этого параметра до 300 миллиметров.

Такой переход долгое время считался экономически нецелесообразным из-за высокой стоимости оборудования и сложности внедрения. Однако согласованные действия всех основных производителей позволят распределить инвестиционное бремя и сделают модернизацию доступнее для отрасли в целом. Представители компании ASML, поставляющей литографическое оборудование, отмечают, что увеличение размера фотомасок позволит повысить пропускную способность сканеров на 40 процентов и упростить процесс проектирования чипов.

График внедрения инноваций

Intel является лидером в применении High-NA EUV технологии. Компания уже перешла от опытных образцов к выборочному использованию такого оборудования в серийном производстве процессоров Panther Lake на технологии Intel 18A. Американский производитель также активно пропагандирует переход на крупные фотомаски на протяжении последних трёх лет.

Samsung планирует начать использование High-NA EUV оборудования для производства памяти в 2028 году. Компания будет взаимодействовать с отраслевыми партнёрами при внедрении новых фотомасок, однако конкретные сроки этой миграции не указаны.

TSMC, крупнейший контрактный производитель чипов в мире, движется более консервативно. Компания начнёт использовать High-NA EUV оборудование в 2030 году, однако первоначально будет комбинировать его с традиционными фотомасками размером 150 миллиметров. Опытная производственная линия для выпуска более крупных фотомасок (300 мм) планируется запустить в 2031 году, а их использование в серийном производстве начнётся только в 2033 году.

Значение для отрасли

Нидерландская компания ASML представила оборудование EUV с низкой числовой апертурой ещё в 2019 году, а затем многие годы готовилась к запуску систем с высокой числовой апертурой. Текущее согласие трёх гигантов полупроводниковой индустрии на совместный переход к новым технологиям даёт импульс развитию всей экосистемы производства чипов.

Такая модернизация позволит отрасли создавать более производительные и совершенные микросхемы, необходимые для растущего спроса на искусственный интеллект, облачные вычисления и другие высокотехнологичные приложения. Согласованный подход основных производителей должен ускорить достижение целевых показателей и снизить общие затраты на внедрение инноваций.

Источник: 3DNews